一、內存是什么

虛擬內存用硬盤空間做內存來彌補計算機RAM空間的缺乏。當實際RAM滿時（實際上，在RAM滿之前），虛擬內存就在硬盤上創建了。當物理內存用完后，虛擬內存管理器選擇最近沒有用過的，低優先級的內存部分寫到交換文件上。這個過程對應用是隱藏的，應用把虛擬內存和實際內存看作是一樣的。 每個運行在WindowsNT下的應用被分配到4GB的屬于自己的虛擬地址空間（2GB給應用，2GB給操作系統）。 使用虛擬內存存在這樣的問題，那就是讀寫硬盤的速度大大慢于讀寫實際RAM的速度。這就是當NT系統在沒有足夠的內存時程序運行慢的原因。 虛擬內存是文件數據交叉鏈接的活動文件。是WINDOWS目錄下的一個WIN386.SWP文件，這個文件會不斷地擴大和自動縮小。 就速度方面而言,CPU的L1和L2緩存速度最快，內存次之，硬盤再次之。但是虛擬內存使用的是硬盤的空間，為什么我們要使用速度最慢的硬盤來做為虛擬內存呢？因為電腦中所有運行的程序都需要經過內存來執行，如果執行的程序很大或很多，就會導致我們只有可憐的256M/512M內存消耗殆盡。而硬盤空間動輒幾十G上百G，為了解決這個問題，Windows中運用了虛擬內存技術，即拿出一部分硬盤空間來充當內存使用... 手動設置虛擬內存 在默認狀態下，是讓系統管理虛擬內存的，但是系統默認設置的管理方式通常比較保守，在自動調節時會造成頁面文件不連續，而降低讀寫效率，工作效率就顯得不高，于是經常會出現“內存不足”這樣的提示，下面就讓我們自已動手來設置它吧。 ①用右鍵點擊桌面上的“我的電腦”圖標，在出現的右鍵菜單中選“屬性”選項打開“系統屬性”窗口。在窗口中點擊“高級”選項卡，出現高級設置的對話框 ②點擊“性能”區域的“設置”按鈕，在出現的“性能選項”窗口中選擇“高級”選項卡，打開其對話框。 ③在該對話框中可看到關于虛擬內存的區域，點擊“更改”按鈕進入“虛擬內存”的設置窗口。選擇一個有較大空閑容量的分區，勾選“自定義大小”前的復選框，將具體數值填入“初始大小”、“最大值”欄中，而后依次點擊“設置→確定”按鈕即可，最后重新啟動計算機使虛擬內存設置生效。

內存是什么不好說

二、RAM容量是什么意思？

RAM的容量是指隨機存儲器的容量，即你的內存容量，至于你說“C盤（系統盤）容量14.6G。D盤是56.8G”

這是硬盤的容量，目前主流的內存容量為1~2G，要看你的電腦的內存容量，只需右鍵單擊“我的電腦”選擇屬性，在底部可以看到

三、我的電腦屬性里面寫著240內存，怎么有人說是256內存呢？誰能解釋一下什么意思呀？

你用的主板是集成顯卡的，因為顯卡需要顯存所以在物理內存中分配了16M給了顯卡，這很正常，一般主板集成的顯卡占用物理內存是8的倍數。

四、簡述計算機內存的分類及各自特點？

按內存條的接口形式，常見內存條有兩種：單列直插內存條（SIMM），和雙列直插內存條（DIMM）。SIMM內存條分為30線，72線兩種。DIMM內存條與SIMM內存條相比引腳增加到168線。DIMM可單條使用，不同容量可混合使用，SIMM必須成對使用。

按內存的工作方式，內存又有FPA EDO DRAM和SDRAM（同步動態RAM）等形式。

FPA（FAST PAGE MODE）RAM 快速頁面模式隨機存取存儲器：這是較早的電腦系統普通使用的內存，它每個三個時鐘脈沖周期傳送一次數據。

EDO（EXTENDED DATA OUT）RAM 擴展數據輸出隨機存取存儲器：EDO內存取消了主板與內存兩個存儲周期之間的時間間隔，他每個兩個時鐘脈沖周期輸出一次數據，大大地縮短了存取時間，是存儲速度提高30%。EDO一般是72腳，EDO內存已經被SDRAM所取代。

S（SYSNECRONOUS）DRAM 同步動態隨機存取存儲器：SDRAM為168腳，這是目前PENTIUM及以上機型使用的內存。SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個時鐘周期，以相同的速度同步工作，每一個時鐘脈沖的上升沿便開始傳遞數據，速度比EDO內存提高50%。

DDR（DOUBLE DATA RAGE）RAM ：SDRAM的更新換代產品，他允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數據，這樣不需要提高時鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。

RDRAM（RAMBUS DRAM） 存儲器總線式動態隨機存取存儲器；RDRAM是RAMBUS公司開發的具有系統帶寬，芯片到芯片接口設計的新型DRAM，他能在很高的頻率范圍內通過一個簡單的總線傳輸數據。他同時使用低電壓信號，在高速同步時鐘脈沖的兩邊沿傳輸數據。INTEL將在其820芯片組產品中加入對RDRAM的支持。 由于這種內存的價格太過昂貴，在pc機上已經見不到他的蹤影。

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發的新生代內存技術標準，它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍于上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據讀預?。?。換句話說，DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數據，并且能夠以內部控制總線4倍的速度運行。 此外，由于DDR2標準規定所有DDR2內存均采用FBGA封裝形式，而不同于目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎?；叵肫餌DR的發展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難通過常規辦法提高內存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術的發展，前端總線對內存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。

ddr3 內存從技術上來講，ddr3內存是對ddr2 內存的改進，從ddr2 內存的4 位預讀提高為8 位預讀，因此在同等頻率下的數據傳輸能力要比ddr2 內存高兩倍。要點 據預測，英特爾將在2007 年下半年正式轉向ddr iii 內存，這種內存將在2009 年第一季度取代ddr ii 而正式成為主流。ecc 是一種具有自動糾錯功能的內存，價格要比普通內存要貴，一般多應用在服務器及圖形工作站上，比較安全穩定。